YANGJIE YJG25GP10A

YJG25GP10A — силовой MOSFET с P-каналом в компактном корпусе PDFN5060. Предназначен для высоковольтных верхних ключей и систем управления питанием. Работает в диапазоне температур от -55℃ до +150℃.

Основные параметры
Модель: YJG25GP10A
Тип: полевой транзистор с P-каналом (P-channel MOSFET)
Напряжение сток–исток Vdss: 100 V
Непрерывный ток стока Id: 25 A (зависит от условий; учитывайте тепловое сопротивление и охлаждение)
Сопротивление открытого канала RDS(on): 38 mΩ при Vgs = -10 V; 43 mΩ при Vgs = -4.5 V
Пороговое напряжение Vgs(th): около 1.8 V (типовое значение)
Полный заряд затвора Qg: 40 nC при 10 V
Входная ёмкость Ciss: 2.1 nF
Выходная ёмкость Coss: 236 pF
Ёмкость обратной передачи Crss (Coss): 48 pF
Рассеиваемая мощность Pd: 28.8 W (зависит от теплового сопротивления и условий монтажа)
Рабочая температура: -55℃ ~ +150℃
Количество: 1 шт.
Корпус: PDFN5060

Особенности
Высокое напряжение Vdss 100 V подходит для высоковольтных верхних ключей и цепей защиты.
Низкое сопротивление RDS(on) 38–43 mΩ при Vgs = -10 V и -4.5 V снижает потери проводимости.
Компактный корпус PDFN5060 упрощает размещение на печатной плате и отвод тепла.
Широкий температурный диапазон и допустимая рассеиваемая мощность подходят для сложных условий эксплуатации; фактическая мощность зависит от охлаждения.

Типичные применения
Верхние ключи и ключи нагрузки в системах питания от аккумуляторов и распределения питания.
Цепи инверторов и защиты, включая защиту от обратной полярности и плавный пуск.
Управление питанием и топологии DC-DC.
Промышленная и автомобильная электроника.

Рекомендации по применению
Для включения P-канального MOSFET требуется отрицательное напряжение затвор–исток; при Vgs = 0 транзистор выключен. Для низкого RDS(on) рекомендуется Vgs, близкое к -10 V. При Vgs = -4.5 V сопротивление составляет около 43 mΩ. Драйвер должен обеспечивать ток для перезаряда затвора с зарядом Qg = 40 nC.

Ёмкость Ciss = 2.1 nF и заряд Qg влияют на потери при переключении и электромагнитные помехи. Последовательный резистор затвора номиналом от десятков до сотен ом позволяет регулировать время фронтов с учётом частоты переключения и требований по EMI.

Номинальная рассеиваемая мощность составляет 28.8 W. Фактическое значение зависит от площади меди печатной платы, теплового сопротивления контактной площадки и условий окружающей среды. Для работы с высоким током применяйте увеличенную площадь меди, тепловые переходные отверстия и, при необходимости, радиатор.

Предусмотрите защиту от сверхтока, короткого замыкания и перегрева. Максимально допустимое напряжение Vgs следует сверять с полной спецификацией.

Встроенный паразитный диод следует учитывать при переключении и протекании обратного тока. При необходимости используйте схемы плавного пуска или обходной диод.

Корпус и надёжность
Теплоотвод корпуса PDFN5060 зависит от размеров контактной площадки и нижнего теплоотводящего слоя. Для повышения теплоотвода используйте рекомендованную компоновку контактных площадок и медных слоёв.

Рабочий диапазон температур составляет -55℃–+150℃. Долговременную надёжность следует оценивать с учётом рассеиваемой мощности, температуры перехода и циклических нагрузок; при необходимости проводите термоциклические и механические испытания.

Выбор компонента
YJG25GP10A подходит для верхнего ключа в системах с напряжением до 100 V и ограниченным пространством. При напряжении управления затвором ниже 5 V учитывайте рост RDS(on) и связанных с ним потерь проводимости.

В высокочастотных схемах учитывайте влияние Qg, Ciss и Crss на потери переключения и мощность управления. Для очень высокой частоты или низких потерь переключения сравните компоненты с меньшими Qg или Ciss.

Для проектирования электрической и тепловой части используйте полную спецификацию и проверьте работу в целевых условиях.