YANGJIE YJG100N04A

YJG100N04A — N-канальный силовой MOSFET в корпусе PDFN5060-8L, предназначенный для применения в импульсных источниках питания, синхронных выпрямителях, преобразователях DC-DC, приводах двигателей и системах распределения мощности.

Основные параметры:
Тип: N-канальный MOSFET
Количество: 1 шт.
Напряжение сток—исток Vdss: 40V
Непрерывный ток стока Id: 100A
Сопротивление открытого канала RDS(on): 2.8mΩ при Vgs=10V, Id=20A
Рассеиваемая мощность Pd: 83W
Пороговое напряжение затвора Vgs(th): 1.5V
Полный заряд затвора Qg: 49nC при Vgs=10V
Входная ёмкость Ciss: 4.645nF при 20V
Выходная ёмкость Coss: 436pF при 20V
Ёмкость обратной передачи Crss: 360pF при 20V
Диапазон рабочих температур перехода Tj: -55℃ ~ +150℃

Низкое сопротивление открытого канала уменьшает потери проводимости, а номинальный ток 100A подходит для силовых схем с высокой плотностью мощности. Для достижения указанного RDS(on) рекомендуется напряжение управления затвором 10V. При управлении от 5V сопротивление открытого канала увеличивается.

Теплоотвод зависит от нижней контактной площадки и медных слоёв платы. Рекомендуется предусмотреть большую площадь меди, тепловые переходные отверстия и широкие дорожки в силовых цепях. Для индуктивной нагрузки следует предусмотреть цепи свободного хода и ограничения выбросов напряжения Vds.

При параллельном включении MOSFET следует учитывать согласование RDS(on) и распределение тока. Параметры безопасной рабочей области, импульсные характеристики и максимальное напряжение Vgs следует проверять по документации на компонент.