HRE(芯声) CGA0805X5R226K100MT 产品概述

一、产品简介

CGA0805X5R226K100MT 为 HRE（芯声）系列 X5R 介质多层陶瓷电容，标称容量 22 µF，容差 ±10%（K），额定电压 10 V，封装 0805（约 2.0 × 1.25 mm）。该型号面向对体积与容值有一定要求的贴片去耦与旁路应用，兼顾成本与体积优化，适合消费电子和一般工业类电源滤波场合。

二、主要性能参数

• 容值：22 µF
• 精度：±10%（K）
• 额定电压：10 V DC
• 温度特性：X5R（工作温度范围 -55℃ ~ +85℃，在该温度范围内电容变化通常限制在规定幅度内）
• 封装：0805（2012 公制尺寸约 2.0 × 1.25 mm）
• 典型用途：电源去耦、输出滤波、旁路与能量缓冲

注：X5R 属类 2 陶瓷，具有较高的体积电容密度但温度与电压依赖性较明显，应在设计中加以考虑。

三、适用场景

• PCB 电源去耦：CPU、FPGA、模拟前端附近的中低频去耦与旁路；
• DC-DC 转换器输出滤波：配合低 ESR 电感稳定输出；
• 移动与便携设备：在空间受限时提供较大容量的局部储能；
• 工业电子与家电：对温度稳定性要求不严的滤波与旁路电路。

四、设计与选用要点

• DC 偏压影响：大容量陶瓷电容在施加直流偏压时电容值会下降，10 V 额定下实际施压环境（如接近额定电压）会显著降低有效容量，设计时应留有裕量并在实际工作电压下验证有效电容。
• 温度依赖性：X5R 在高低温时电容会变化，若电路对电容量精度有严格要求，应考虑并联或选用温度特性更好的介质（如 C0G/NP0）。
• 老化与稳定性：类 2 陶瓷存在随时间的老化现象，长期稳定性不如 NP0/C0G，需在产品寿命评估时一并考虑。
• 布局建议：尽量将去耦电容靠近 IC 电源引脚放置，最短回流路径，避免在走线中产生额外寄生感抗。

五、可靠性与焊接建议

• 推荐采用标准回流焊工艺；遵循厂方回流曲线与最大峰值温度限制；
• 尽量避免多次高温回流后再大幅机械应力（边缘弯曲或钳夹），以降低裂纹风险；
• 贴装时遵循 IPC/JEDEC 推荐焊盘与过孔布局，必要时配置足够的焊盘金属化面积与沉孔管理散热。

六、封装与采购信息

该型号常以卷带（Tape & Reel）形式供货，适配自动贴片机。常见购买渠道为代理与分销商，订购时请确认包装数量、检验报告与实际电气表征（尤其是在目标电压下的有效电容曲线），以保证设计一致性与量产稳定性。

（备注）选型时如需更高温度稳定性、更低偏压依赖或更严格的容量公差，可与 HRE（芯声）或分销商沟通替代型号或样品测试安排。