Leiditech TESD05FB

TESD05FB — компонент защиты от переходных перенапряжений (TVS) и электростатических разрядов (ESD) для систем с рабочим напряжением 5 V. Корпус SOD-323. Предназначен для защиты входов и выходов USB, приставок и цифровых телевизоров от ESD, EFT и импульсных перенапряжений.

Основные параметры (типовые значения):
Обратное рабочее напряжение (Vrwm / рабочее напряжение): 5 V
Напряжение пробоя (VBR): около 8 V
Напряжение ограничения (Vc): около 13 V
Пиковая импульсная мощность (Ppp): 315 W @ 8/20 µs
Пиковый импульсный ток (Ipp): 25 A (8/20 µs)
Устойчивость к EFT: 40 A (5/50 ns)
Стойкость к электростатическому разряду: IEC 61000-4-2, воздушный/контактный разряд ±30 kV
Обратный ток (Ir): 100 nA при Vrwm
Ёмкость перехода (Cj): около 110 pF
Тип: диод ESD/TVS
Корпус: SOD-323

Применение: защита питания USB 2.0 (VBUS), низкоскоростных линий передачи данных и линий, связанных с питанием; входных интерфейсов приставок, цифровых телевизоров и оборудования серверных помещений; портов портативных устройств и домашних шлюзов; маломощных схем с рабочим напряжением 5 V.

Ёмкость перехода около 110 pF делает компонент подходящим для линий питания и цепей с невысокими требованиями к полосе сигнала. Для высокоскоростных дифференциальных сигналов, например USB 2.0 High-Speed 480 Mbps, возможное влияние на целостность сигнала следует учитывать.

Рекомендации по проектированию и монтажу: размещать рядом с защищаемым интерфейсом, металлическим корпусом USB-разъёма или сигнальными выводами. Ёмкость перехода ~110 pF может существенно повлиять на целостность сигнала на дифференциальных линиях USB 2.0 High-Speed (480 Mbps); для VBUS или линий USB-зарядки и низкоскоростных линий компонент подходит. Для высокоскоростных линий рекомендуется выбирать специализированные TVS-компоненты с низкой ёмкостью, обычно < 5–20 pF.

В линиях питания можно использовать небольшой дроссель или фильтр RC. Путь возвратного тока защитного компонента к земле следует сделать коротким и прямым; рекомендуется использовать плоскость заземления многослойной платы. Несмотря на способность выдерживать импульсы высокой мощности (315 W @ 8/20µs), следует избегать повторных длительных воздействий высокой энергии и обеспечить отвод тепла и подавление импульсных перенапряжений.